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深入理解下面的結論對于結構設計是十分重要的。
1）材料的導電性和導磁性越好，屏蔽效能越高，但實際的金屬材料不可能兼顧這兩個方面，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什么材料，根據具體屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決定是側重導電性還是導磁性；
2）頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；
3）反射損耗與輻射源的特性有關，對于電場輻射源，反射損耗很大；對于磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對于磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。
4）反射損耗與屏蔽體到輻射源的距離有關，對于電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對于磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越小；正確判斷輻射源的性質，決定它應該靠近屏蔽體，還是原理屏蔽體，是結構設計的一個重要內容。
5）頻率較高時，吸收損耗是主要的屏蔽機理，這時與輻射源是電場輻射源還是磁場輻射源關系不大。
6）電場波是最容易屏蔽的，平面波其次，磁場波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場，很難屏蔽。對于低頻磁場，要采用高導磁性材料電磁，電磁屏蔽的效果影響的因素甚至采用高導電性材料和高導磁性材料復合起來的材料。
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一般情況下，屏蔽機箱上的不同部分的結合處不可能完全接觸，只能在某些點接觸上，這構成了一個孔洞陣列？p隙是造成屏蔽機箱屏蔽效能降級的主要原因之一。在實際工程中，常常用縫隙的阻抗來衡量縫隙的屏蔽效能。縫隙的阻抗越小，則電磁泄漏越小，屏蔽效能越高。
縫隙處的阻抗：縫隙的阻抗可以用電阻和電容并聯來等效，因為接觸上的點相當一個電阻，沒有接觸的點相當于一個電容，整個縫隙就是許多電阻和電容的并聯。低頻時，電阻分量起主要作用；高頻時，電容分量起主要作用。由于電容的容抗隨著頻率升高降低，因此如果縫隙是主要泄漏源，則屏蔽機箱的屏蔽效能優勢隨著頻率的升高而增加。但是，如果縫隙的尺寸較大，高頻泄漏也是縫隙泄漏的主要現象。
影響電阻成分的因素：影響縫隙上電阻成分的因素主要有：接觸面積（接觸點數）、接觸面材料（一般較軟的材料接觸電阻較小）、接觸面的清潔程度、接觸面的壓力（壓力要足以使接觸點穿透金屬表層氧化層）、氧化腐蝕等。
影響電容成分的因素：根據電容器原理，很容易知道：兩個表面之間距離越近，相對的面積越大，則電容越大。
解決縫隙泄漏的措施：
1） 接觸面的重合面積，這可以減小電阻、增加電容。
2） 使屏蔽用如何避免縫隙電磁泄露的危險盡量多的緊固螺釘，這也可以減小電阻、增加電容。
3） 保持接觸面清潔，減小接觸電阻。
4） 保持接觸面較好的平整度，這可以減小電阻、增加電容。
5） 使用電磁密封襯墊，消除縫隙上不接觸點。
好了，關于“如何避免縫隙電磁泄露的危險”呢，咱們今天就先講述到這里，如果你還有任何疑問，或對于、常州屏宇屏蔽設備有限公司等還有想要了解的地方，可以電話咨詢，當然也可以在線咨詢我們的客服哦！